因?yàn)槟壳暗臏y(cè)試方式都不足以代表完整LED芯片的使用壽命和需花費(fèi)冗長(zhǎng)的時(shí)間。因此，有其他的團(tuán)隊(duì)開(kāi)始研究加速壽命測(cè)試方式和壽命推估模型，而Highly accelerated temperature and humidity stress test (HAST)是目前有可能拿來(lái)做加速壽命推估的測(cè)試方法。

    HAST 是由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)所制定的測(cè)試方法，主要是用來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體封裝的可靠度測(cè)試，可測(cè)試封裝體老化的程度以及水氣入侵的速度。主要的測(cè)試條件有兩個(gè)110℃ -85% RH和130℃-85% RH。在S.I.Chan的研究中，他們分析高功率LED芯片在經(jīng)過(guò)HAST和一般環(huán)境(25℃-50%RH)測(cè)試后，芯片特性劣化的機(jī)制是否相同。在一般的測(cè)試條件下經(jīng)過(guò)2900小時(shí)的測(cè)試后，LED芯片會(huì)出現(xiàn)光通量衰減、光譜特性改變、封裝材料變色和氣泡產(chǎn)生以及熱阻上升等現(xiàn)象。而在HAST的測(cè)試中可觀察得到更為顯著的現(xiàn)象，且無(wú)其他異常現(xiàn)象發(fā)生，這表示了HAST確實(shí)有加速劣化機(jī)制的效果。

    在圖3中，可以看到LED芯片的光通量在HAST測(cè)試中，下降的速度比一般情況下要來(lái)的快。但只靠HAST的測(cè)試是無(wú)法推測(cè)出燈具的使用壽命，還需要一個(gè)壽命推估模型。W.D. van Rriel提到利用Monte Carlos approach和hybrid approach using BBN and Markov Chain methodology這兩種方法來(lái)推估燈具系統(tǒng)的壽命，但是推估過(guò)程容易因?yàn)長(zhǎng)ED燈具系統(tǒng)若使用較多元件而變得相當(dāng)復(fù)雜。